Trang chủ
Bài viết mới
Diễn đàn
Bài mới trên hồ sơ
Hoạt động mới nhất
VIDEO
Mùa Tết
Văn Học Trẻ
Văn Học News
Media
New media
New comments
Search media
Đại Học
Đại cương
Chuyên ngành
Triết học
Kinh tế
KHXH & NV
Công nghệ thông tin
Khoa học kĩ thuật
Luận văn, tiểu luận
Phổ Thông
Lớp 12
Ngữ văn 12
Lớp 11
Ngữ văn 11
Lớp 10
Ngữ văn 10
LỚP 9
Ngữ văn 9
Lớp 8
Ngữ văn 8
Lớp 7
Ngữ văn 7
Lớp 6
Ngữ văn 6
Tiểu học
Thành viên
Thành viên trực tuyến
Bài mới trên hồ sơ
Tìm trong hồ sơ cá nhân
Credits
Transactions
Xu: 0
Đăng nhập
Đăng ký
Có gì mới?
Tìm kiếm
Tìm kiếm
Chỉ tìm trong tiêu đề
Bởi:
Hoạt động mới nhất
Đăng ký
Menu
Đăng nhập
Đăng ký
Install the app
Cài đặt
Chào mừng Bạn tham gia Diễn Đàn VNKienThuc.com -
Định hướng Forum
Kiến Thức
- HÃY TẠO CHỦ ĐỀ KIẾN THỨC HỮU ÍCH VÀ CÙNG NHAU THẢO LUẬN Kết nối:
VNK X
-
VNK groups
| Nhà Tài Trợ:
BhnongFood X
-
Bhnong groups
-
Đặt mua Bánh Bhnong
CÔNG NGHỆ
Công Nghệ Kĩ Thuật Số
Smartphone
Tổng hợp những lỗi ở smartphone và cách sửa chữa mới nhất
JavaScript is disabled. For a better experience, please enable JavaScript in your browser before proceeding.
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an
alternative browser
.
Trả lời chủ đề
Nội dung
<blockquote data-quote="Hoàng Xuân Bách" data-source="post: 177944" data-attributes="member: 315148"><p>Samsung đã thành công trong việc đưa vào sản xuất với số lượng lớn bộ nhớ trong với dung lượng 512GB eUFS cho điện thoại. Bằng cách sử dụng 8 con chip 512Gb 64 lớp thì Samsung đã đạt được mức dung lượng này nhưng kích cỡ lại chỉ tương đương với các con chip 256GB. Trước kia thì Samsung chỉ chế tạo được những bộ nhớ eUFS 48 lớp.</p><p></p><p>Bộ nhớ 512GB mới sẽ có tốc độ đọc liên tục 860MBps, ghi liên tục 255MBps, tức là tốn 20 giây để chép 5GB dữ liệu vào bộ nhớ này và 6 giây để copy file đó sang máy khác. Về hiệu năng đọc ghi ngẫu nhiên thì eUFS 512GB của Samsung đạt lần lượt 42000 IOPS và 40000 IOPS, nhanh gấp 10 lần tốc độ đọc và 20 lần tốc độ ghi ngẫu nhiên của thẻ nhớ microSD tốc độ cao. Còn so với các thẻ microSD truyền thống thì nó nhanh hơn khoảng 400 lần.</p><p></p><p>Mức dụng lượng 512GB này chứa được khoảng 21 giờ phim 4K.</p><p>[ATTACH=full]1875[/ATTACH]</p></blockquote><p></p>
[QUOTE="Hoàng Xuân Bách, post: 177944, member: 315148"] Samsung đã thành công trong việc đưa vào sản xuất với số lượng lớn bộ nhớ trong với dung lượng 512GB eUFS cho điện thoại. Bằng cách sử dụng 8 con chip 512Gb 64 lớp thì Samsung đã đạt được mức dung lượng này nhưng kích cỡ lại chỉ tương đương với các con chip 256GB. Trước kia thì Samsung chỉ chế tạo được những bộ nhớ eUFS 48 lớp. Bộ nhớ 512GB mới sẽ có tốc độ đọc liên tục 860MBps, ghi liên tục 255MBps, tức là tốn 20 giây để chép 5GB dữ liệu vào bộ nhớ này và 6 giây để copy file đó sang máy khác. Về hiệu năng đọc ghi ngẫu nhiên thì eUFS 512GB của Samsung đạt lần lượt 42000 IOPS và 40000 IOPS, nhanh gấp 10 lần tốc độ đọc và 20 lần tốc độ ghi ngẫu nhiên của thẻ nhớ microSD tốc độ cao. Còn so với các thẻ microSD truyền thống thì nó nhanh hơn khoảng 400 lần. Mức dụng lượng 512GB này chứa được khoảng 21 giờ phim 4K. [ATTACH=full]1875._xfImport[/ATTACH] [/QUOTE]
Tên
Mã xác nhận
Gửi trả lời
CÔNG NGHỆ
Công Nghệ Kĩ Thuật Số
Smartphone
Tổng hợp những lỗi ở smartphone và cách sửa chữa mới nhất
Top